STB12NM50ND是STMicroelectronics推出的一款功率MOSFET产品，以下是该产品的主要功能和特性：
1. 高功率能力：STB12NM50ND具有较高的功率能力，适用于高功率应用场景，如电源、马达驱动和电机控制等。
2. 低导通电阻：该产品具有较低的导通电阻，可以降低功率损耗和热量产生，提高系统效率和可靠性。
3. 高开关速度：STB12NM50ND具有快速的开关速度，可以实现高频率的开关操作，适用于需要快速响应的应用。
4. 低输入电容：该产品具有较低的输入电容，可以降低输入电流需求和开关损耗，提高系统的能效。
5. 高温工作能力：STB12NM50ND支持高温工作，具有较高的温度耐受能力，适用于高温环境下的应用。
6. 低漏电流：该产品具有较低的漏电流，可以减少功耗和电池寿命的消耗。
7. 封装和引脚配置：STB12NM50ND采用小型的TO-220封装，具有简单的引脚配置，方便与其他电路板进行集成。
产品型号：STB12NM50ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STB12NM50ND
描述
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
FDmesh™ II
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB12N
