
STB12NM50ND是STMicroelectronics推出的一款功率MOSFET产品,以下是该产品的主要功能和特性:
1. 高功率能力:STB12NM50ND具有较高的功率能力,适用于高功率应用场景,如电源、马达驱动和电机控制等。
2. 低导通电阻:该产品具有较低的导通电阻,可以降低功率损耗和热量产生,提高系统效率和可靠性。
3. 高开关速度:STB12NM50ND具有快速的开关速度,可以实现高频率的开关操作,适用于需要快速响应的应用。
4. 低输入电容:该产品具有较低的输入电容,可以降低输入电流需求和开关损耗,提高系统的能效。
5. 高温工作能力:STB12NM50ND支持高温工作,具有较高的温度耐受能力,适用于高温环境下的应用。
6. 低漏电流:该产品具有较低的漏电流,可以减少功耗和电池寿命的消耗。
7. 封装和引脚配置:STB12NM50ND采用小型的TO-220封装,具有简单的引脚配置,方便与其他电路板进行集成。
产品型号:STB12NM50ND
制造商
STMicroelectronics
制造商产品编号
STB12NM50ND
描述
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
STMicroelectronics
系列
FDmesh™ II
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
850 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STB12N