STB13NM60N

时间:2022-8-11 10:59:00

热卖-原装正品现货

制造商 STMicroelectronics

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 30 nC @ 10 V

Vgs(最大值) ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 790 pF @ 50 V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 90W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Low gate input resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

isc N-Channel Mosfet Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

13A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

N-channel 600 V, 0.320 廓, 10 A PowerFLAT??(8x8) HV MDmesh??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

Low gate input resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-channel 600 V, 0.28 廓 typ., 11 A MDmesh??II Power MOSFET in TO-220FP, I?PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages

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意法半导体意法半导体集团

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2025-8-16 16:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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ST/意法半导体
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