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位置：首页 > IC中文资料第2647页 > SPB03N60

SPB03N60价格

参考价格：￥3.6892

型号：SPB03N60C3 品牌：INFINEON 备注：这里有SPB03N60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPB03N60批发/采购报价，SPB03N60行情走势销售排行榜，SPB03N60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB03N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60C3

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPB03N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPB03N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPB03N60S5

HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube

Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60C3

CoolMOSPowerTransistor

文件：489.98 Kbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60C3_07

CoolMOSPowerTransistor

文件：489.98 Kbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5

CoolMOSPowerTransistor

文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5

AL9910EV4Evaluationboardconnectiondiagram

文件：227.05 Kbytes Page：8 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC.

文件：254.2 Kbytes Page：12 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC

文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5_07

CoolMOSPowerTransistor

文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
FMC03N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
03N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
AIHD03N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
CJP03N60

PowerMOSFET

文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
FMC03N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji

SPB03N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB03N60

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 3.2A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPB03N60供应商更多...

更新时间：2024-6-23 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市惊羽科技有限公司
SPB03N60S5
INFINEON-英飞凌
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SPB03N60S5
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深圳市博浩通科技有限公司
SPB03N60S5
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SPB03N60S5
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SPB03N60S5
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SPB03N60S5
INFINEON
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