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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
03N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

03N60-CB

0.3A, 600V  N-CHANNEL  POWER MOSFET

The UTC 03N60-CB is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supp RDS(on) < 24Ω @ VGS=10V, ID=0.15AHigh Switching SpeedHigh Cell Density Trench Technology;

UTC

友顺

03N60C3

丝印代码：D2PAK；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：3.20783 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

03N60S5

丝印代码：D2PAK；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

03N60S5

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：2.51693 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

03N60S5_V01

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

ILA03N60

LightMOS Power Transistor

LightMOS Power Transistor • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts • IGBT with integrated reverse diode • 4A current rating for reverse diode • Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET • Avalanche rated • 150°C operating temperature • FullPak is

INFINEON

英飞凌

ILB03N60

LightMOS Power Transistor

LightMOS Power Transistor • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts • IGBT with integrated reverse diode • 4A current rating for reverse diode • Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET • Avalanche rated • 150°C operating temperature • FullPak is

INFINEON

英飞凌

ILD03N60

LightMOS Power Transistor

LightMOS Power Transistor • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts • IGBT with integrated reverse diode • 4A current rating for reverse diode • Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET • Avalanche rated • 150°C operating temperature • FullPak is

INFINEON

英飞凌

ILP03N60

LightMOS Power Transistor

LightMOS Power Transistor • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts • IGBT with integrated reverse diode • 4A current rating for reverse diode • Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET • Avalanche rated • 150°C operating temperature • FullPak is

INFINEON

英飞凌

P03N60

P03N60 TO-220 Small Signal MOSFET

文件：206.91 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

03N60产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V)：

    ±30

  • ID(A)：

    0.3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：

    24000

  • CISSTYP.(pF)：

    60

  • COSSTYP.(pF)：

    11

  • CRSSTYP.(pF)：

    4.8

  • QgTYP.(nC)：

    7

  • QgsTYP.(nC)：

    3

  • QgdTYP.(nC)：

    1.2

  • VGS(th)(V)MIN.：

    2

  • VGS(th)(V)MAX.：

    4

  • TrrTYP.(nS)：

    145

  • QrrTYP.(nC)：

    150

  • Package：

    SOT-23_SOT-223

03N60供应商更多...

更新时间：2026-5-23 11:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市振宏微科技有限公司
03N60S5
INFINEON
23+
TO-220
6000
专做原装正品,假一罚百!
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
03N60G-AA3-R
UTC/友顺
23+
SOT-23
63999
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
现代芯城（深圳）科技有限公司
03N60G-AE3-R
26+
N/A
48000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
深圳市勤思达科技有限公司
03N60C3
INFINEON
10+
TO252
7800
全新原装正品,现货销售
询价
艾睿（深圳）半导体有限公司
03N60C3
INFINEON/英飞凌
2447
TO251
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
03N60C3
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市一线半导体有限公司
03N60C3
INF
24+
TO252
500
询价
深圳市鹏和科技有限公司
03N60C3
INF进口原
24+
TO-220
5000
全现原装公司现货
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
03N60G-AE3-R
UTC
24+
SOT-23
9000
只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
03N60C3
INFINEON/英飞凌
2022+
P-TO252
12888
原厂代理 终端免费提供样品
询价

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