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03N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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N-Channel650V(D-S)MOSFET

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N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

PowerMOSFET

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji
更新时间:2025-7-24 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
TO-220
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TO-220
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INFINEON
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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TO-220
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原装优势主营型号-可开原型号增税票

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