型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FMC03N60E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

FMC03N60E

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

Fuji

富士通

FMC03N60E

功率MOSFET 600V-700V

Fuji

富士通

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:2.52205 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件:1.72801 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

Power MOSFET

文件:193.74 Kbytes Page:3 Pages

JIANGSU

长电科技

FMC03N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FMC03N60E

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

更新时间:2025-9-22 16:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
23+
N/A
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
FUJI/富士电机
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2022+
TO-263
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69820
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FUJI/富士电机
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