位置：SPB03N60S5 > SPB03N60S5详情
SPB03N60S5中文资料
SPB03N60S5数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
SPB03N60S5产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB03N60S5
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-26 9:22:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10010 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
infineon |
12+ |
P-TO263-3-2 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
Infineon |
17+ |
TO-263 |
6200 |
||||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
||||
SIEMENS |
24+ |
QFP-44 |
7860 |
原装现货假一罚十 |
|||
infineon |
25+ |
SOT263 |
3852 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
2017+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,诚信经营 |
|||
INFINEON |
08+ |
TO263-3-2 |
20000 |
普通 |
SPB03N60S5 资料下载更多...
SPB03N60S5 芯片相关型号
VBSEMI相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
