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位置：首页 > IC中文资料第5692页 > SPA11N60

SPA11N60价格

参考价格：￥9.1510

型号：SPA11N60C3 品牌：Infineon Technologies 备注：这里有SPA11N60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPA11N60批发/采购报价，SPA11N60行情走势销售排行榜，SPA11N60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPA11N60C2

CoolMOS??PowerTransistor

Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60C3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPA11N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS)

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPA11N60C3E8185

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perfor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPA11N60CFD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPA11N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplication

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60C3

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60C3

CoolMOS??PowerTransistor

文件：662.11 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60C3E8185

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：210.02 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

文件：560.84 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60CFD_10

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：210.02 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPA11N60CFD_1012

CoolMOSPowerTransistor

文件：560.84 Kbytes Page：12 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
11N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.85356 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
11N60CFD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.03276 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
11N60E

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.94216 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
11N60K-MT

N-CHANNELDEPLETION-MODEPOWERMOSFET

文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
AOB11N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SPA11N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPA11N60

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Cool MOS⑩ Power Transistor

SPA11N60供应商更多...

更新时间：2024-6-17 15:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市柏芯特电子科技有限公司
SPA11N60CFD
Infineon
2023
4800
公司原装现货/支持实单
询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司
SPA11N60CFD
INFINEON
TO-220F
699839
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价
深圳市芯福林电子科技有限公司
SPA11N60CFD
Infineon/英飞凌
21+
TO-220F(TO-220IS)
13880
公司只售原装,支持实单
询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
SPA11N60CFD
INFINEON
23+
TO-220F
5000
原装正品,假一罚十
询价
深圳市昌和盛利电子有限公司
SPA11N60CFD
INFINEON
23+
TO-220F
7936
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
SPA11N60CFD
INFINEON
23+
PG-TOTO-220-3
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司
SPA11N60CFD
Infineon/英飞凌
21+
TO-220F(TO-220IS)
6820
只做原装,质量保证
询价
深圳市纳艾斯科技有限公司
SPA11N60CFD
INFINEO
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
SPA11N60CFD
Infineon/英飞凌
23+
TO-220F(TO-220IS)
25000
原装正品,假一赔十!
询价
绿盛电子(香港)有限公司
SPA11N60CFD
英飞凌
2018+
TO-220
26976
代理原装现货/特价热卖!
询价

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