位置：SPA11N60C3E8185 > SPA11N60C3E8185详情
SPA11N60C3E8185中文资料
SPA11N60C3E8185数据手册规格书PDF详情
• DESCRIPTION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.38Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
SPA11N60C3E8185产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPA11N60C3E8185
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
PG-TO220 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
22+ |
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP |
8000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-220F |
20000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220F |
5000 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220F |
6000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220F |
6000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
SPA11N60C3E8185 资料下载更多...
SPA11N60C3E8185 芯片相关型号
ISC相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27296条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
