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11N60	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.85356 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPA11N60C2	丝印代码：11N60C2；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPA11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPA11N60C3E8185	丝印代码：11N60C3；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB11N60C2	丝印代码：11N60C2；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPI11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPP11N60C2	丝印代码：11N60C2；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPP11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
STFI11N60M2-EP	丝印代码：11N60M2EP；N-channel 600 V, 0.550 Ω typ., 7.5 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in an I²PAKFP package Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • Very low turn-off switching losses • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhan	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL11N60M2-EP	丝印代码：11N60M2E；N-channel 600 V, 0.600 Ω typ., 5.5 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 HV package Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • Very low turn-off switching losses • 100 avalanche tested • Zener-protected Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhan	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SPA11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPA11N60C3E8185	丝印代码：11N60C3；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPI11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPP11N60C3	丝印代码：11N60C3；Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
11N60C3	Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
11N60S5	Cool MOS??Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance	INFINEON 英飞凌	INFINEON
11N60C2	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.85385 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60C2	丝印代码：D2PAK；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.8644 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60C2_V01	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.8644 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60C3	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.84713 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60C3	Cool MOS™ Power Transistor	INFINEON 英飞凌	INFINEON
11N60CFD	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03276 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60E	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.94216 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60KG-TF2-T	N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET 文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages	UTC 友顺	UTC
11N60KL-TF2-T	N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET 文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages	UTC 友顺	UTC
11N60K-MT	N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET 文件：220.51 Kbytes Page：6 Pages	UTC 友顺	UTC
11N60K-MT	11A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTC 友顺	UTC
11N60S5	丝印代码：D2PAK；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03944 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
11N60S5	Cool MOS™ Power Transistor	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AOB11N60	丝印代码：D2PAK；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

11N60产品属性

类型
描述
型号
11N60
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

11N60供应商更多...

更新时间：2026-3-11 7:38:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛特兴科技有限公司	11N60C3	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	11N60C3	Infineon(英飞凌)	24+	标准封装	13048	原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。	询价
深圳市威雅利发展有限公司	11N60C3	INF	13+	220-220F	1400	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	11N60C3	NA	2026+	原厂原封可拆样	54687	百分百原装现货实单必成	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	11N60C3	Infineon(英飞凌)	26+	NA	60000	只有原装可配单	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	11N60C3	INF	20+	220-220F	38560	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市正迈科技有限公司	11N60C3	INFINEON	23+	NA	8021	专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品	询价
深圳市正纳电子有限公司	11N60C3	Infineon(英飞凌)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	11N60C3	INFINEON	24+	TO-263	5642	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	11N60C2	INFINEON	2023+	TO-220-3	50000	原装现货	询价

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11NM70G-TO252R-TW1GU2_UTC代理商
2023-2-3
11SM1-H58
11SM1-H58，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-10
11SM244-T/MAX485ESA+T/UPD720201K8-701-BAC-A 欢迎询价 2355580906
北京天阳诚业科贸有限公司于2004年在北京成立，是一家专业电子元器件混合分销商。目前我们设立了连接器、IC、无源元件、传感器、分立器件、机电元件等事业部，主要经销代理TI、STM、NXP、ADI、Microchip、Infineon、FINDER、MINI等品牌。15年来我们“只做原装正品”，保证所出的每一个物料都出自品牌原厂。我们建立了完善的
2020-12-18
1-1827875-3
1-1827875-3，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-1-12
11FB-05NL
11FB-05NL，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-28
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1-1871468-2，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-16

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