位置:NTH4L022N120M3S_V01 > NTH4L022N120M3S_V01详情

NTH4L022N120M3S_V01中文资料

厂家型号

NTH4L022N120M3S_V01

文件大小

314.02Kbytes

页面数量

8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

ONSEMI

NTH4L022N120M3S_V01数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Low Switching Losses (Typ. EON 490 J at 40 A, 800 V)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

更新时间:2025-10-4 13:27:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
2025+
TO-247-4
55740
onsemi
21+
190
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ONSEMI
22+
SMD
1250
onsemi(安森美)
24+
TO2474
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ONN
2324+
17517
原装正品,超低价出售
鑫远鹏
25+
NA
5000
价优秒回原装现货
ON(安森美)
2447
TO-247-4
115000
450个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货