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NTH4L020N090SC1中文资料

厂家型号

NTH4L020N090SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L020N090SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-6 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
2025+
TO-247-4L
55740
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ONSEMI/安森美
24+
原封装
52000
只做原装进口现货
ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
onsemi(安森美)
24+
TO2474
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
鑫远鹏
25+
NA
5000
价优秒回原装现货
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
24+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON(安森美)
2511
TO-247-4
9550
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价