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NTH4L023N065M3S中文资料

厂家型号

NTH4L023N065M3S

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9

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 23mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L023N065M3S数据手册规格书PDF详情

Features

 Typical RDS(on) = 23 m @ VGS = 18 V

 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 69 nC)

 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 153 pF)

 100 Avalanche Tested

 This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

 SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storages, EV Charging

Infrastructure

更新时间:2025-10-9 17:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
2025+
TO-247-4
55740
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21+
190
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
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SMD
1250
onsemi(安森美)
24+
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