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NTH4L020N120SC1_V02中文资料

厂家型号

NTH4L020N120SC1_V02

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功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L020N120SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-5 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
onsemi
23+
TO-247-4
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原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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1250
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