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NTH4L018N075SC1中文资料

厂家型号

NTH4L018N075SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 13.5 mohm, 750V, M2, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L018N075SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 13.5 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 18 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 262 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 365 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• Uninterruptable Power Supplies (UPS)

• Energy Storage Systems

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

更新时间:2025-10-7 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
2025+
55740
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ONSEMI/安森美
24+
原封装
52000
只做原装进口现货
ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
onsemi(安森美)
24+
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