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NTH4L020N120SC1中文资料

厂家型号

NTH4L020N120SC1

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L020N120SC1数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 220 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 258 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-7 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ONSEMI/安森美
24+
原封装
52000
只做原装进口现货
onsemi(安森美)
2025+
TO-247-4
55740
ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ON(安森美)
23+
TO-247-4
12378
公司只做原装正品,假一赔十
ON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
ON(安森美)
2511
TO-247-4
5689
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ON(安森美)
2447
TO-247-4
115000
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