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NTH4L015N065SC1_V02中文资料

厂家型号

NTH4L015N065SC1_V02

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功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L015N065SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

更新时间:2025-10-6 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
2025+
55740
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ONSEMI/安森美
24+
原封装
52000
只做原装进口现货
ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
onsemi(安森美)
24+
TO2474
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
ON(安森美)
23+
TO-247-4
12378
公司只做原装正品,假一赔十
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24+
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全新原装正品,现货销售
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24+
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鑫远鹏
25+
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