位置:NTH4L022N120M3S > NTH4L022N120M3S详情

NTH4L022N120M3S中文资料

厂家型号

NTH4L022N120M3S

文件大小

314.02Kbytes

页面数量

8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

ONSEMI

NTH4L022N120M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Low Switching Losses (Typ. EON 490 J at 40 A, 800 V)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

更新时间:2025-10-7 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
7814
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
onsemi
21+
382
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
onsemi(安森美)
2025+
TO-247-4L
55740
onsemi
23+
TO-247-4
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ONSEMI
22+
SMD
1250
ON-SEMI
22+
N/A
450
原装正品 香港现货
鑫远鹏
25+
NA
5000
价优秒回原装现货
ON(安森美)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!