• LMP91000-传感器的AFE系统-配置低功耗化学传感应用的AFE电位

    LMP91000:传感器的AFE系统:配置低功耗化学传感应用的AFE电位 LMP91000是一个可编程的模拟前端(AFE)在使用微功率电化学传感应用。 它提供了一个完整的传感器之间的信号路径解决方案和一个微控制器,产生一个输出电压成正比电池电流。 LMP91000的可编程使它能够支持多个电化学传感器,例如3,导致有毒气体传感器和2导致原电池传感器多个分立的解决方案,而不是一个单一的设计。 LMP91000支持气体的敏感性 0.5 NA / ppm到9500

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  • MLF1005LR10KT-SMD电感

    SMD电感(线圈)对于信号线(多层,磁屏蔽) 要进一步精简各种数字设备保持高度的功能,并在低功耗到Excel, 安装在设备上的零件也需要有较低的阻力。 MLF1005L类型是一个电感器已的新生产线开发,以满足这样的要求:,他们的抵抗已经高达35%的下降,与现有的比较MLF1005类型。 此外,该新型电感器使用类似的磁屏蔽,这使他们的高密度安装。 MLF1005LR10KT 特点 •MLF1005L类型的电阻降

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  • VLF302512MT 1R0N-SMD电感

    VLF302512MT1R0N - SMD电感 SMD电感(线圈) 电源线(绕线,磁屏蔽) 随着VLF302512MT系列,DC- DC转换器与topclass大小相似产品的电压转换效率通过优化的磁性物质和配置。这些产品在开关作为扼流圈使用的最佳 如需要节省空间的移动设备的电源设计。 VLF302512MT1R0N 特点如下: •微型尺寸 面积:3.0× 2.5 低调:1.2以下。高度 •通用使用

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  • 74LVQ11MTR-三重3输入与门

    74LVQ11是一个低电压CMOS三重3输入与门亚微米制造硅栅和双层金属布线C2MOS技术。它是理想的低功耗和低噪音3.3V应用。 内部电路是由3个阶段包括缓冲输出,从而使高噪声免疫力和稳定的输出。 所有输入和输出都配备了防止静电放电保护电路,让他们2KV的静电放电抗扰度和瞬态过剩电压。 高速:TPD =4.7ns(典型值)VCC= 3.3 V 兼容TTL输出 低功耗:ICC=2毫安(最大值)在TA= 25℃ 低噪声:V

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  • TDA9898-多标准混合中频处理

    集成电路(IC)是适用于中频(IF)处理,包括全球多标准的模拟电视(ATV),数字视频广播(DVB)和单声道调频收音机使用只有1个IC和1至3个固定的表面声波(锯)(取决于应用)。 TDA9898包括L和L -口音标准。 TDA9897没有L和L -口音标准 TDA9898 - 多标准混合中频处理的特点: 5 V电源电压 I2C总线控制的所有功能 提供4个I2C总线地址;可编程模块地址(MAD)的的选择 三个I2C总线电

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  • DRV8301-三相双电流分流放大器和降压稳压器的预驱动器

    DRV8301 - 三相双电流分流放大器和降压稳压器的预驱动器 DRV8301是一个三相栅极驱动器IC电机驱动应用。它提供了3个半桥 驱动程序,每一个能够驱动两个N型高侧和低的MOSFET,方。它支持高达2.3A水槽和1.7A源峰值电流能力,只需要一个电源供应8日至60V的范围很宽。DRV8301使用滴入引导栅极驱动器充电电路,支持100%占空比。门驱动程序使用自动握手偏高的时候FET或低侧FET开关,以防止电流射穿。 VDS检测的场效应管保护在外部电源的过电流条件下的阶段。DRV

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  • LMV331-Q1-通用低电压比较器

    LMV331- Q1-通用低电压比较器 LMV393- Q1器件是一个低电压(2.7 V至5.5 V)的双核和四比较器LM393的版本和LM339,经营5 V至30 V LMV331- Q1是比较单一版本。 LMV331- Q1和LMV393- Q1是低电压应用的最具成本效益的的解决方案操作,低功耗,节省空间和价格是在电路设计为便携式的主要规格消费类产品。这些器件可提供规格,达到或超过了熟悉的LM339和LM393的设备的电源电流的一小部分。 LMV331

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  • TS5218CQRF-启用800毫安超低压差稳压器

    TS5218CQRF - 启用800毫安超低压差稳压器 TS5218是800毫安超低压差线性稳压器提供低电压,高电流输出 一个非常小的封装。这些稳压器提供了非常低的压降(通常在800毫安为400mV)和非常低的接地电流(典型值800毫安12毫安)。 TS5218是充分保护,以防止过电流故障,输入极性颠倒,颠倒插入铅,过 操作温度,正面和负面的瞬态电压尖峰,逻辑电平使能控制。 应用 ●ULDO线性稳压器为PC附加卡 ●Pow

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  • RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器

    RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器 RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N- MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。 RT9607/ A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性 MOSFET的选择。 部分输出驱动器驱动一个3NF capble30/40ns负载的上升/下降时间

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  • HDBL101G-1.0AMP玻璃钝化高效整流桥

    HDBL101G - 1.0AMP玻璃钝化高效整流桥 特点: 1.Green复合包装上的“G”后缀 2.code及前缀的“G”上的日期代码 3。高浪涌电流能力 4,高温度焊接保证:260℃/ 10秒/0.375“(9.5毫米)领导长度在5磅,(2.3公斤)拉力 5. Reliable低的成本建设利用成型 塑料技术 6. Ideal为印刷电路板 7. Glass钝化结 8. UL识别的文件

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  • BZY55C2V4-500MW,5%的容差贴片稳压二极管

    BZY55C2V4: 500MW,5%的容差贴片稳压二极管 1.宽齐纳电压选择范围:2.4V至36V 2.表面设备安装 3.湿度灵敏性水平1 4.雾锡(Sn)与镍(Ni)underplate率先完成 5.无铅版本,并符合RoHS标准 6.无卤素 机械数据 案例:0805标准封装,注塑 终端:雾锡电镀,无铅,可焊性。 根据MIL - STD-202方法208保证

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