数据列表 AON6576;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 -
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1320pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），26W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
