数据列表 IRLR6225PBF
标准包装 2000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 HEXFET?
其它名称 IRLR6225TRPBFTR
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 21A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 72nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3770pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 63W（Tc）
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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