74LVQ11MTR-三重3输入与门

时间:2012-11-6 15:26:00

74LVQ11是一个低电压CMOS三重3输入与门亚微米制造硅栅和双层金属布线C2MOS技术。它是理想的低功耗和低噪音3.3V应用。 内部电路是由3个阶段包括缓冲输出,从而使高噪声免疫力和稳定的输出。 所有输入和输出都配备了防止静电放电保护电路,让他们2KV的静电放电抗扰度和瞬态过剩电压。 高速:TPD =4.7ns(典型值)VCC= 3.3 V

74LVQ11是一个低电压CMOS三重3输入与门亚微米制造硅栅和双层金属布线C2MOS技术。它是理想的低功耗和低噪音3.3V应用。
内部电路是由3个阶段包括缓冲输出,从而使高噪声免疫力和稳定的输出。
所有输入和输出都配备了防止静电放电保护电路,让他们2KV的静电放电抗扰度和瞬态过剩电压。

高速:TPD =4.7ns(典型值)VCC= 3.3 V
兼容TTL输出
低功耗:ICC=2毫安(最大值)在TA= 25℃
低噪声:VOLP=0.3V VCC= 3.3V(典型值)
75W的传输线路驱动 CAPABILITY
对称的输出阻抗:
|的IOH|= IOL=12毫安(MIN),在VCC= 3.0V的PCI总线,在24 mA的保证水平
平衡的传播延迟:
tPLH@ tPHL
N工作电压范围:
VCC(OPR)=2V至3.6V(1.2V数据保留)的PIN和功能兼容
74系列11
改进闭锁抗扰度

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