
参数:
电源电压范围:±4V 至 ±18V
输入失调电压:典型值 10μV,最大值 50μV
失调电压漂移:典型值 0.2μV/°C
输入偏置电流:典型值 ±10nA
输入电压范围:±10.3V 至 ±11.5V
共模抑制比:126dB(共模电压为 11V 时)
电源抑制比:VS = ±4.5V 至 ±18V 时,典型值 16mV/V
增益带宽积:63MHz
压摆率:17V/μs
开环增益:1800000
输出电压摆幅:RL≥2kΩ 时,±11.5V 至 ±13.5V
工作温度范围:-40°C 至 85°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
封装:8 引脚 SOIC 封装