HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器

双通道同步整流降压MOSFET驱动器
该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播延迟和50ns转换时间。此装置实现对上只有一个盖茨引导需要一个外部电容器每个电源通道。这减少了实现的复杂度，并允许使用性能更高，成本效益，N沟道MOSFET。自适应击穿保护集成，以防止从同时进行两个MOSFET。

特点
•驱动4个N沟道MOSFET
•自适应击穿保护
•内部自举装置
•支持高开关频率
-快速输出上升时间
-传播延迟30ns
•小型14引脚SOIC封装
•5V电压至12V的栅极驱动电压为最佳效率
•三态输入桥梁关闭
•电源欠压保护

应用
•核心的英特尔奔腾® III和AMD®​​电压电源AthlonTM微处理器。
•高频薄型直流/直流转换器
•大电流低电压直流/直流转换器...