同步整流MOSFET的降压驱动程序
HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率
N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案
先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HIP6603输出驱动器具有能力，以有效地切换频率的功率MOSFET高达2MHz。每个驱动器具有驱动3000pF负载的能力以30ns和50ns的传播延迟时间的过渡。两个产品实现引导与对上闸只需要一个外部电容器。这将减少执行的复杂性，并允许使用较高性能，成本效益，N沟道MOSFET。自适应击穿保护，以防止双方集成从同时进行的MOSFET。
特点
•驱动两个N沟道MOSFET
•自适应击穿保护
•内部自举装置
•支持高开关频率-快速输出上升时间-传播延迟30ns
•小型8引脚SOIC封装
•双栅极驱动电压为最佳效率
•三态输入桥梁关闭
•电源欠压保护
应用
•核心的英特尔奔腾® III，AMD ®的电压电源速龙™微处理器
•高频超薄的DC - DC转换器
•高电流低电压DC - DC转换器
FN4819-同步整流降压MOSFET驱动器
时间：2013-3-4 15:26:00
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅
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