HIP2100-100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥驱动器

100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动
该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。

特点
•驱动N沟道MOSFET半桥
•节省空间采用SO8封装
•自举电源最大电压116VDC
•片上1W的自举二极管
•快速传播时代需要的多兆赫电路
•驱动1000pF的负载与1MHz的上升和下降时间的通常为10ns
•为提高抗干扰的CMOS输入阈值
•非独立输入半桥拓扑
•无启动问题
•输出的电源毛刺不会受到影响，房协振铃下方地面，或HS回转在高dv / dt
•低功耗
•宽电源范围
•电源欠压保护
•3W输出电阻

应用
•电信半桥电源
•航空电子设备的DC - DC转换器
•双开关正激变换器
•有源钳位正激变换器