制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 210 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
5000
子类别: MOSFETs
单位重量: 87 mg
