供应：晶体管IXFX55N50F

制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 55 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 560 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 21.34 mm

长度: 16.13 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.21 mm

商标: IXYS

下降时间: 9.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 24 ns

单位重量: 7.300 g