DMN4468LSS由Diodes公司生产，采用8 - SOIC（0.154"，3.90mm宽）表面贴装封装。它是一款N通道MOSFET，属于金属氧化物类型，逻辑电平门，漏源极电压（Vdss）为30V，25°C时连续漏极电流（Id）可达10A，在11.6A、10V条件下，漏源导通电阻（Rds On）最大值为14毫欧，在250μA时，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.95V，10V时栅极电荷（Qg）为18.85nC，输入电容（Ciss）为867pF，最大功率为1.52W。
DMN4468LSS资料规格参数
时间：2025-7-30 14:14:00
DMN4468LSS
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- 电可擦除可编程只读存储器：24AA01HT-I/SN
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | |
2025-11-3 23:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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DIODES/美台 | 24+ | NA/ | 83249 | 原装现货,当天可交货,原型号开票 | |||
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