DMN4468LSS资料规格参数

时间:2025-7-30 14:14:00

DMN4468LSS

DMN4468LSS由Diodes公司生产,采用8 - SOIC(0.154",3.90mm宽)表面贴装封装。它是一款N通道MOSFET,属于金属氧化物类型,逻辑电平门,漏源极电压(Vdss)为30V,25°C时连续漏极电流(Id)可达10A,在11.6A、10V条件下,漏源导通电阻(Rds On)最大值为14毫欧,在250μA时,栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为1.95V,10V时栅极电荷(Qg)为18.85nC,输入电容(Ciss)为867pF,最大功率为1.52W。

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2026-3-8 21:38:00
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30000
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DIODES/美台
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SOP-8
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DIODES/美台
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DIODES/美台
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SO-8
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