DMN4468LSS由Diodes公司生产，采用8 - SOIC（0.154"，3.90mm宽）表面贴装封装。它是一款N通道MOSFET，属于金属氧化物类型，逻辑电平门，漏源极电压（Vdss）为30V，25°C时连续漏极电流（Id）可达10A，在11.6A、10V条件下，漏源导通电阻（Rds On）最大值为14毫欧，在250μA时，栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.95V，10V时栅极电荷（Qg）为18.85nC，输入电容（Ciss）为867pF，最大功率为1.52W。
DMN4468LSS资料规格参数
时间：2025-7-30 14:14:00
DMN4468LSS
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| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | ||
N-Channel 20V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体深圳市微碧半导体有限公司 | | ||
DO-41 Package | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
1.5 WATT GLASS ZENER DIODES | MICROSEMIMicrosemi Corporation 美高森美美高森美半导体公司 | | ||
1.5 WATT ZENER DIODE | CENTRALCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | | ||
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100V Dual N-Channel MOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | | ||
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ACE ACE Technology Co., LTD. | |
2026-8-3 23:01:00
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