STS8816导读
功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型——。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。。VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounDroid Vantam产品线)研发领域处于领先水平。
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在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。。
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MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
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