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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTP52N10G | Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTP52N10G | Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTP52N10G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTP52N10G
- 功能描述
MOSFET 100V 60A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-2203LEADSTANDA |
17890 |
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lipoo(立浦) |
24+ |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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ON |
2023+ |
TO220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3275 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ON |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON |
25+23+ |
TO220 |
72478 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
110 |
正规渠道,只有原装! |
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