
安森美NTMFWS1D5N08X单N沟道MOSFET具有低QRR和软恢复体二极管,可降低开关损耗。安森美半导体NTMFWS1D5N08X具有低导通电阻 (RDS(on)) ,可最大限度地降低导通损耗,确保高效运行。此外,其低栅极电荷和电容有助于最大限度地降低驱动器损耗。这些MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。
特性
_低QRR,软恢复体二极管
_低RDS(on)值,可最大限度地降低导通损耗
_低QG和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗
_无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令
应用
_直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)
_隔离式直流-直流转换器中的一次开关
_电机驱动器