NTMS7N03R2G

时间:2024-1-24 17:11:00

NTMS7N03R2G

品牌

ON

封装

SOP

数量

20000

制造商

onsemi

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SOIC-8

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Id-连续漏极电流

8.5 A

Rds On-漏源导通电阻

23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1 V

Qg-栅极电荷

43 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

2.5 W

通道模式

Enhancement

系列

NTMS7N03R2

配置

Single

下降时间

49 ns, 38 ns

正向跨导 - 最小值

13 S

高度

1.5 mm

长度

5 mm

上升时间

38 ns, 71 ns

晶体管类型

MOSFET

典型关闭延迟时间

8 ns, 15 ns

典型接通延迟时间

4 mm

宽度

74 mg

可售卖地

全国

型号

NTMS7N03R2G