位置：首页 > IC中文资料第725页 > NTB52N10G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB52N10G | N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTB52N10G | N-Channel Enhancement−Mode D2PAK | ONSEMI 安森美半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 52A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTB52N10G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB52N10G
- 功能描述
MOSFET 100V 52A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
25+ |
2 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
||||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
D2PAK3LEAD |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-263-2 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
23+ |
TO-263 |
2 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
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