NTR1P02LT1G ON 20 V 220 mOhm 440 mW MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23优势产品原装现货进口热卖
NTR1P02LT1G产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 220 mOhm @ 750mA， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.25V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4V
输入电容（Ciss）@ Vds的 225pF @ 5V
功率 - 最大 400mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 1.3 A
RDS -于 220@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 7 ns
典型上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型下降时间 20 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 400
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 220@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
包装高度 0.94
最大连续漏极电流 1.3
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.3A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.25V @ 250μA
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR1P02LT1GOSTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 220 mOhm @ 750mA， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 400mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 225pF @ 5V
闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 1.3 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 220 mOhms
功率耗散 0.4 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 15 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 15 ns
漏极电流（最大值） 1.3 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.22 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;_纽约证券交易所代码:STM)宣布，已经签署收购法国氮化镓(GaN)创新企业Exagan公司的多数股权的并购协议。Exagan的外延工艺、产品开发和应用经验将拓宽并推进意法半导体的汽车、工业和消费用功率GaN的开发规划和业务。Exagan将继续执行现有产品开发规划，意法半导体将为其部署产品提供支持。
双方的交易条款没有对外公布，等法国政府按照惯例成交法规批准后即可完成交易。现已签署的并购协议还规定，在多数股权收购交易完成24个月后，意法半导体有权收购剩余的Exagan少数股权。本交易将采用可用现金支付。
意法半导体公司总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“意法半导体的碳化硅发展势头强劲，现在我们正在扩大对另一种前景很好的复合材料--氮化镓的投入，以促进汽车、工业和消费市场客户采用GaN功率产品。收购Exagan的多数股权是我们加强公司在全球功率半导体市场的领先地位以及我们的GaN长远规划、生态系统和业务的又一项新举措，是对我们目前与CEA-Leti在法国图尔的开发项目以及最近宣布的与台积电的合作项目的补充。”
氮化镓(GaN)属于宽带隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高频电力电子器件行业取得的一大进步，其能效和功率密度高于硅基晶体管，GaN基器件节能省电，缩减系统整体尺寸。GaN器件适合各种应用，例如，服务器、电信和工业用功率因数校正和DC/DC转换器;电动汽车车载充电器和车规DC-DC转换器，以及电源适配器等个人电子应用。
Exagan成立于2014年，总部位于法国格勒诺布尔。该公司致力于推进电力电子行业从硅基技术向GaN-on-silicon技术转变，研发体积更小、能效更高的功率转换器。Exagan的GaN功率开关是为标准200毫米晶圆设计。
前瞻性陈述风险提示
1995年私人证券诉讼改革法案安全港声明：上文所述的任何非历史事实的陈述均为前瞻性陈述，包括有关我们未来经营业绩和财务状况、商业策略、未来经营计划和目标的任何陈述，涉及可能导致实际结果与前瞻性陈述之间出现重大差异的风险和不确定性因素。这些陈述仅是预测，反映了我们在当前对未来事件的看法和预测，并且是以假设为前提，受风险和不确定性因素的影响，随时可能发生变化。潜在风险和不确定性因素包括但不限于以下因素：交易未完成的可能性，包括任何先决条件导致的交易失败;可能无法实现收购预期收益的风险;收购后难以留住Exagan员工;设施扩建、制造工艺和专门知识转让困难;迫使管理层无法集中精力管理企业的风险;以及我们会不时在提交给美国证交会的文件中详细说明的与我们的行业和业务相关的竞争影响和其它风险因素。
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ: 3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址：www.xrdz-hk.com
公司部分现货：
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
M57962L-01R-01
M57962AL-01R-01
M57959L-01R-01
LN1134A332MR-3.3V
BAV99DW-7-F
1N4148WS-7-F
TLV70433DBVR
DK5V45R15
PESD0402-140
SN65LBC176AD
MAX1487ECSA
MAX490ECSA
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鑫锐电子（香港）是一家专业从事集成电路配套的供应商，在本行拥有多年的销售经验！备有大量现货库存，诚信为本，客户至上，为客户把产品的质量关！
由于公司型号众多，无法一一上传，如在网站找不到您要的产品，请联系业务员，本司可提供电子元器件配单服务。
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8月30日，中国移动举行线上招募5G体验官活动，宣布即日起首款5G手机——先行者X1在线上线下全渠道同步开售。
中国移动首款自主品牌5G手机上市 同步支持NSA/SA
为推动5G终端产业链快速成熟，中国移动联合产业链制定5G终端技术方案、开展技术攻关、组织规模试验、研发自有品牌终端，推出了国内运营商首款自主品牌5G手机——先行者X1。
外观方面，该款手机采用了铝镁合金+双曲面玻璃机身设计，6.47英寸全高清水滴屏，正面屏占比超过92%。手机采用屏下光学指纹设计，满足消费者正面指纹需求，使整机外观设计更具经典美感。
拍照方面，先行者X1采用了4800万像素的后置AI三摄，实现暗光下1200万像素高品质图片输出。2000万像素超大广角镜头，带来更大视野。800万像素长焦镜头，支持3倍光学变焦、20倍数字变焦，更好满足了远景拍摄需求。
娱乐方面，该款手机采用了复合相变材料和液冷散热技术，配置骁龙8系列旗舰芯片。配合5G高速网络速度与骁龙elite gaming模式，游戏运行速率提高200%，网游时延降低50%以上。
一直以来，中国移动聚焦5G终端发展，坚持“三多一新”的产品策略：支持多模式多频段，推进终端多模多频发展，同步支持NSA/SA(非独立组网/独立组网)。
AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A
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