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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTP52N10 | 功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220 功率 MOSFET 60 A，100 V，N 沟道增强模式，TO-220 • Source-to-Drain Diode Recovery Time comparable to a Discrete Fast Recovery Diode\n• Avalanche Energy Specified\n• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature\n• Pb-Free Package is Available; | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTP52N10 | Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts 文件：164.86 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTP52N10 | Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts 文件：72.57 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
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Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Power MOSFET 60 Amps, 100 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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NTP52N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTP52N10
- 功能描述
MOSFET 100V 60A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO220 |
110 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ONS |
25+23+ |
NA |
21022 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
26+ |
TO-220 |
50000 |
芯为深仓现货 |
|||
ON/安森美 |
17+ |
TO-2203LEADSTANDARD |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
24+ |
8866 |
||||||
ON |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ONSemi |
24+ |
TO-220 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NTP52N10即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
onsemi |
25+ |
TO-220 |
11528 |
样件支持,可原厂排单订货! |
NTP52N10规格书下载地址
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