型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTMD6N04R2G

MOSFET–Power,DualN-Channel,SOIC-840V,5.8A

Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NTMD6N04R2G

PowerMOSFET40V,5.8A,DualN-ChannelSOIC-8

文件:84.29 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NTMD6N04R2G

PowerMOSFET

文件:105.45 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NTMD6N04R2G

DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

文件:1.08883 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

PowerMOSFET40V,5.8A,DualN-ChannelSOIC-8

文件:84.29 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PowerMOSFET

文件:105.45 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTMD6N04R2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-25 19:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
20+
SOP-8
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ON Semiconductor
21+
8SOIC
13880
公司只售原装,支持实单
ON/安森美
2022
SOP-8
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ON
1742+
SOP-8
98215
只要网上有绝对有货!只做原装正品!
NTMD6N04R2G
7500
7500
ONSEMI
23+
NA
2091
专做原装正品,假一罚百!
ON/安森美
SOP8
7906200
ON/ON Semiconductor/安森美/安
21+
SOP-8
9354
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
10+
SOP8
3999
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
39880
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

NTMD6N04R2G芯片相关品牌

  • ABRACON
  • AD
  • HAMMOND
  • ICST
  • MOLEX7
  • Motorola
  • NIC
  • Sipex
  • STMICROELECTRONICS
  • SUNMATE
  • Temic
  • TRACOPOWER

NTMD6N04R2G数据表相关新闻