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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMD6N04R2G | MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ) • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Spac | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMD6N04R2G | Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N04R2G | Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N04R2G | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTMD6N04R2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6N04R2G
- 功能描述
MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-1-7
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