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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTMD6N04R2G | MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ) • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Spac | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMD6N04R2G | Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N04R2G | Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTMD6N04R2G | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTMD6N04R2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTMD6N04R2G
- 功能描述
MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON/ |
24+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
24+ |
SOIC8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
39880 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
23+ |
SOP-8 |
2248 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
8SOIC |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
SOIC-8 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
1925+ |
SOP-8 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
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2019-1-7
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