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NTMD6N04R2G中文资料

厂家型号

NTMD6N04R2G

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219.31Kbytes

页面数量

8

功能描述

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTMD6N04R2G数据手册规格书PDF详情

Features

• Designed for use in low voltage, high speed switching applications

• Ultra Low On−Resistance Provides

Higher Efficiency and Extends Battery Life

− RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ)

− RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ)

• Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Space

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery

• NVMD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable*

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• DC−DC Converters

• Computers

• Printers

• Cellular and Cordless Phones

• Disk Drives and Tape Drives

NTMD6N04R2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
23+
NA
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onsemi
25+
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
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ONSEMI/安森美
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