NTMD3P03R2G
规格信息：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:3.05 A
Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.5 mm
长度:5 mm
系列:NTMD3P03
晶体管类型:2 P-Channel
类型:MOSFET
宽度:4 mm
商标:ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:5 S
下降时间:35 ns, 45 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:42 ns, 16 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:32 ns, 45 ns
典型接通延迟时间:16 ns, 12 ns
单位重量:187 mg
