安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS (on) 、低QG和电容、60V漏极-源极电压、146A脉冲漏极电流以及-55°C至175°工作结温范围。NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，且符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和H桥）、同步直流-直流稳压器以及电池管理和保护。
特性
_占位面积小 (5mm x 6mm)，设计紧凑
_低RDS (on)，可最大限度地降低导通损耗
_低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
_漏极-源极电压：60V
_工作结温和储存温度范围：-55°C至175°C
_栅极阈值电压：2.2V
_栅极-源极电压：±20V
_脉冲漏极电流：146A
_无铅
_无卤/无BFR
_符合RoHS标准
应用
_电机控制
_电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
_同步直流－直流稳压器
_电池管理和保护
