NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET

发布企业:深圳市华睿芯科技有限公司时间:2024-2-22 9:27:00

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安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计,具有较高的散热性能。
NTMFD5C672NL

安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计,具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS (on) 、低QG和电容、60V漏极-源极电压、146A脉冲漏极电流以及-55°C至175°工作结温范围。NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,且符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器和H桥)、同步直流-直流稳压器以及电池管理和保护。
特性

   _占位面积小 (5mm x 6mm),设计紧凑
   _低RDS (on),可最大限度地降低导通损耗
   _低QG 和电容,可最大限度地降低驱动器损耗
   _漏极-源极电压:60V
   _工作结温和储存温度范围:-55°C至175°C
   _栅极阈值电压:2.2V

   _栅极-源极电压:±20V
   _脉冲漏极电流:146A
   _无铅
   _无卤/无BFR
   _符合RoHS标准

应用

   _电机控制
   _电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器和半桥)

   _同步直流-直流稳压器
   _电池管理和保护

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

MOSFET ??Power, Dual, N-Channel 60 V, 11.9 m, 49 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

MOSFET ??Power, Dual, N-Channel 60 V, 11.9 m, 49 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 11.9 m, 40 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

2025-9-26 22:59:00
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