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NTMD6N04R2G中文资料

厂家型号

NTMD6N04R2G

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5

功能描述

Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTMD6N04R2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
23+
NA
2091
专做原装正品,假一罚百!
onsemi
25+
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
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ONSEMI/安森美
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