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NTMD6N04R2

Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

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ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N04R2

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ) • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Spac

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安森美半导体

Power MOSFET

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Power MOSFET

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安森美半导体

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

NTMD6N04R2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD6N04R2

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

更新时间:2025-8-15 18:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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