NTMFD4C85NT1G

时间:2019-4-16 9:22:00

NTMFD4C85NT1G

FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能 标准

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.4A,29.7A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 15V

功率 - 最大值 1.13W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-PowerTDFN

供应商器件封装 8-DFN(5x6)

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel SO8FL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2024-4-20 8:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
QFN8
20000
ON/安森美
22+
QFN8
60620
1204
ON
16+/1
QFN8
191558
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
ON/安森美
18+
DFN
7194
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
ON/安森美
2023+
QFN
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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2018+
QFN
6000
全新原装正品现货,假一赔佰
Infineon
20+
原装
65790
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ON
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1168
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ON
21+
QFN8
10000
只做原装 假一赔万
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持