FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.4A,29.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 15V
功率 - 最大值 1.13W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN(5x6)