NTMFD4C85NT1G

时间:2019-4-16 9:22:00

NTMFD4C85NT1G

FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能 标准

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15.4A,29.7A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 15V

功率 - 最大值 1.13W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-PowerTDFN

供应商器件封装 8-DFN(5x6)

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel SO8FL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

2025-12-30 10:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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QFN8
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