时间：2019-4-16 9:22:00
FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.4A，29.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1960pF @ 15V
功率 - 最大值 1.13W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN（5x6）
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel SO8FL | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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