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位置：首页 > IC中文资料第975页 > NDD02N60Z

NDD02N60Z价格

参考价格：￥1.4335

型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60Z批发/采购报价，NDD02N60Z行情走势销售排行榜，NDD02N60Z报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NDD02N60Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDD02N60Z

功率 MOSFET，600V，2.2A，4.8Ω，单 N 沟道，DPAK

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60Z

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 

文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NDD02N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET

文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60Z-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD02N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET

文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60ZT4G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NDD02N60ZT4G

N-Channel 650V (D-S) MOSFET

文件：1.08607 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NDD02N60ZT4G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.77774 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

02N60H

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.70191 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

02N60H-H

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.70195 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

02N60H-HF

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.70167 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

02N60H-H-HF

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.70169 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

02N60P

N CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：701.78 Kbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

NDD02N60Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD02N60Z

  • 功能描述

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NDD02N60Z供应商更多...

更新时间：2025-10-31 18:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏世佳电子科技有限公司
NDD02N60ZT4G
ON
2025+
TO-252-3
3577
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司
NDD02N60ZT4G
ON/安森美
2023+
NA
1834
全新原装正品,优势价格
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
NDD02N60Z
ON/安森美
24+
NA/
22500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司
NDD02N60Z-1G
ON/安森美
24+
TO-251
26000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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深圳市科恒伟业电子有限公司
NDD02N60ZT4G
ONSEMI/安森美
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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深圳市星宇佳科技有限公司
NDD02N60ZT4GMOS(场效应管)
77
252
ON/安森美
11
92
询价
深圳市赛尔通科技有限公司
NDD02N60ZT4G
ON
23+
TO-252
113400
询价
深圳市拓亿芯电子有限公司
NDD02N60ZT4G
ON/安森美
23+
TO-252
30000
全新原装现货,价格优势
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深圳市英科美电子有限公司
NDD02N60ZT4G
ON/安森美
2223+
NA
26800
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
NDD02N60Z-1G
ON/安森美
22+
TO-251
12245
现货,原厂原装假一罚十!
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