型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGD02N60

FAST IGBT IN NPT TECHNOLOGY

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

Infineon

英飞凌

SGD02N60

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

SGD02N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08647 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件:701.78 Kbytes Page:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SGD02N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGD02N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 10:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价
INENOI
25+
SOT252
29106
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
INFINEON/英飞凌
99+
TO-252-2
10000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
Infineon(英飞凌)
21+
SOT252
500
原装现货,假一罚十
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
8000
只做原装,欢迎询价,量大价优
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
INFINEON
23+
PG-TO252-3
6800
只做原装正品现货
infineon
25+
SOT-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!

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    SGL8022K,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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    SGD02N120,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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