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NDB6020P数据表
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: NDB6020P
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 70 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: NDB6020P_NL
单位重量: 1.312 g
