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NDD02N60Z-1G价格
参考价格：￥1.4335
型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60Z-1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60Z-1G批发/采购报价，NDD02N60Z-1G行情走势销售排行榜，NDD02N60Z-1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDD02N60Z-1G | N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NDD02N60Z-1G | N-Channel Power MOSFET 文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NDD02N60Z-1G | N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.08208 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |
NDD02N60Z-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDD02N60Z-1G
- 功能描述
MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
120 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON |
2016+ |
TO-251 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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ON |
24+ |
TO251 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ON |
24+ |
TO251 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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ON/安森美 |
2023+ |
TO-251 |
44475 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-251 |
26000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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ON/安森美 |
2450+ |
TO-251 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON/安森美 |
1225+ |
DPAKINSERTIONMOUNT |
125 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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TO-251 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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