NDD02N60Z-1价格

参考价格:¥1.4335

型号:NDD02N60Z-1G 品牌:ONSemi 备注:这里有NDD02N60Z-1多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NDD02N60Z-1批发/采购报价,NDD02N60Z-1行情走势销售排行榜,NDD02N60Z-1报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NDD02N60Z-1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0

文件:168.55 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

文件:148.07 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.08208 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

NDD02N60Z-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD02N60Z-1

  • 功能描述

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-29 20:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
15+
TO-251
539
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
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纳立只做原装正品13590203865
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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