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位置：NDD02N60Z-1G > NDD02N60Z-1G详情

NDD02N60Z-1G中文资料

NDD02N60Z-1G
厂家型号

NDD02N60Z-1G
文件大小

168.55Kbytes
页面数量

10页
功能描述

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NDD02N60Z-1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDD02N60Z-1G

  • 功能描述

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NDD02N60Z-1G供应商...

更新时间：2025-10-28 13:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市博中泰实业有限公司
NDD02N60Z-1G
ONSEMI/安森美
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NDD02N60Z-1G 价格

参考价格：￥1.4335

型号：NDD02N60Z-1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NDD02N60Z-1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NDD02N60Z-1G批发/采购报价，NDD02N60Z-1G行情走势销售排排榜，NDD02N60Z-1G报价。

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