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位置：首页 > IC中文资料第2607页 > MRF581

MRF581价格

参考价格：￥13.6173

型号：MRF5812LF 品牌：ASI 备注：这里有MRF581多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MRF581批发/采购报价，MRF581行情走势销售排行榜，MRF581报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF581

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
MRF581

NPNSILICONRFTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheMRF581isDesignedforHighcurrentlowPowerAmplifierApplicationsupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoiseFigure •LowIntermodulationDistortion •HighGain •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
MRF581

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MRF581

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581

封装/外壳：微型-X 陶瓷 84C 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF5811LT1

LOWNOISEHIGH-FREQUENCYTRANSISTORNPNSILICON

TheRFLine NPNSilicon High-FrequencyTransistor Designedforhighcurrent,lowpoweramplifiersupto1.0GHz. •LowNoise(2.0dB@500MHz) •LowIntermodulationDistortion •HighGain •State–of–the–ArtTechnology FineLineGeometry ArsenicEmitters GoldTopMetallization

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MRF5812

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
MRF5812

NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
MRF5812

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF5812G

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
MRF5812R1

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF5812R2

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581A

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW
MRF581A

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581A

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •GainatOptimumNoiseFigure=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveMacroXPackage

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MRF581_08

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF5812G

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：带 描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581A

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581AG

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581G

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
AD581

HighPrecision10VICReference

GENERALDESCRIPTION TheAD581isa3-pin,temperaturecompensated,monolithic,bandgapvoltagereferencethatprovidesaprecise10.00Voutputfromanunregulatedinputlevelrangingfrom12Vto30V. FEATURES Lasertrimmedtohighaccuracy 10.000V±5mV(LandUmodels)

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
AD581

HighPrecision10VICReference

GENERALDESCRIPTION TheAD581isa3-pin,temperaturecompensated,monolithic,bandgapvoltagereferencethatprovidesaprecise10.00Voutputfromanunregulatedinputlevelrangingfrom12Vto30V. FEATURES Lasertrimmedtohighaccuracy 10.000V±5mV(LandUmodels)

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
581

ClippedSineWave

文件：134.9 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
AC581

20TO500MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIERS

文件：175.92 Kbytes Page：2 Pages

TELEDYNE

TELEDYNE

TELEDYNE
AD581

HighPrecision10VICReference

文件：329.41 Kbytes Page：12 Pages

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

MRF581产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF581

  • 功能描述

    射频放大器 RF Transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

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更新时间：2024-4-20 8:10:00
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MRF581
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