型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF5812R2

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

Microsemi

美高森美

MRF5812R2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5812R2

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    MRF5812R2 - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

更新时间:2025-8-14 10:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
2016+
SOP8
7532
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON
24+
SOP8
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
24+
5000
公司存货
MICROSEMI/美高森美
24+
SOP8
54000
郑重承诺只做原装进口现货
MC
24+
2789
全新原装自家现货!价格优势!
MOTOROLA
24+
NA
2000
进口原装正品优势供应
ON
22+
SOP8
6000
十年配单,只做原装
MICROSEMI
24+
SOP8
65200
一级代理/放心采购
MICROSEMI/美高森美
25+
SOP8
6000
只做原装
ON
16+
SOP8
8000
原装现货请来电咨询

MRF5812R2数据表相关新闻