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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MRF5812R2 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package | Microsemi 美高森美 |
MRF5812R2产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5812R2
- 制造商
Microsemi Corporation
- 功能描述
MRF5812R2 - Bulk
- 制造商
Microsemi Corporation
- 功能描述
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
2016+ |
SOP8 |
7532 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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ON |
24+ |
SOP8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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24+ |
5000 |
公司存货 |
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MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
SOP8 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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MC |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
MOTOROLA |
24+ |
NA |
2000 |
进口原装正品优势供应 |
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ON |
22+ |
SOP8 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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MICROSEMI |
24+ |
SOP8 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
SOP8 |
6000 |
只做原装 |
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ON |
16+ |
SOP8 |
8000 |
原装现货请来电咨询 |
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