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MRF5812R2

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

Microsemi

美高森美

MRF5812R2

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

MRF5812R2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5812R2

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    MRF5812R2 - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

更新时间:2025-11-17 23:00:00
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